Quality is life, service is the tenet
發(fā)布時間: 2024-08-12
產品型號:
廠商性質: 生產廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號
產品特點: 我公司生產、銷售介電常數(shù)測試儀。如有需要請致電詳談。
頻率范圍:20KHz-60MHz/200KHz-160MHz
GDAT-C介電常數(shù)測量儀
滿足標準:GBT 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法高頻介質損耗測試系統(tǒng)由S916測試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數(shù)據采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成,它依據國標GB/T 1409-2006、美標ASTM D150以及電工委員會IEC60250的規(guī)定設計制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動測量的*解決方案。
1、《BH916介質損耗裝置》(測試夾具)是測試系統(tǒng)的核心檢測部件,它由一個LCD數(shù)字顯示的微測量裝置和一對經精密加工的、間距可調的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化的量化,測得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質損耗測試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產品,精密的加工設計、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能,克服了機械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測量誤差。
2、基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統(tǒng)的二次儀表,其數(shù)碼化主調電容器的創(chuàng)新設計代表了行業(yè)的zui高成就,隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機界面,采用LCD液晶屏顯示各測量因子:Q值、電感L、主調電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz,頻率精度高達1×10-6。國標GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測定電工材料高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε),把被測材料作為平板電容的介質,與輔助電感等構成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測試回路,以獲取zui高的測試靈敏度。因而Q表法的測試結果更真實地反映了介質在高頻工作狀態(tài)下的特征。GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點頻率或電容值的條件下檢測
Q值甚至tanδ,無須關注量程和換算,*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無疑是電工材料高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測量的理想工具。
3、數(shù)據采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT),實現(xiàn)了數(shù)據采集、數(shù)據分析和計算的微處理化,tanδ 測量結果的獲得無須繁瑣的人工處理,因而提高了數(shù)據的精確度和測量的同一性,是人工讀值和人工計算*的。
4、一個高品質因數(shù)(Q)的電感器是測量系統(tǒng)*的輔助工具,關乎測試的靈敏度和精度,在系統(tǒng)中它與平板電容(BH916)構成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本系統(tǒng)推薦的電感器為LKI-1電感組共由9個高性能電感器組成,以適配不同的檢測頻率。
平板電容極片 | Φ50mm/Φ38mm可選 | 頻率范圍 | 20KHz-60MHz/200KHz-160MHz |
間距可調范圍 | ≥15mm | 頻率指示誤差 | 3×10-5±1個字 |
夾具插頭間距 | 25mm±0.01mm | 主電容調節(jié)范圍 | 30-500/18-220pF |
測微桿分辨率 | 0.001mm | 主調電容誤差 | <1%或1pF |
夾具損耗角正切值 | ≦4×10-4 (1MHz) | Q測試范圍 | 2~1023 |
線圈號 | 測試頻率 | Q值 | 分布電容p | 電感值 |
9 | 100KHz | 98 | 9.4 | 25mH |
8 | 400KHz | 138 | 11.4 | 4.87mH |
7 | 400KHz | 202 | 16 | 0.99mH |
6 | 1MHz | 196 | 13 | 252μH |
5 | 2MHz | 198 | 8.7 | 49.8μH |
4 | 4.5MHz | 231 | 7 | 10μH |
3 | 12MHz | 193 | 6.9 | 2.49μH |
2 | 12MHz | 229 | 6.4 | 0.508μH |
1 | 25MHz 50MHz | 233 211 | 0.9 | 0.125μH |
介電常數(shù)介質損耗(介質損耗角)測試儀
型號:GDAT-C
一.主要特點:
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。
二.主要技術特性:
介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數(shù)值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
三.儀器技術指標:
☆Q值測量:
a.Q值測量范圍:2~1023。 b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c.標稱誤差
頻率范圍:20kHz~10MHz; 固有誤差:≤5%±滿度值的2%;工作誤差:≤7%±滿度值的2%;
頻率范圍:10MHz~60MHz; 固有誤差:≤6%±滿度值的2%;工作誤差:≤8%±滿度值的2%。
☆電感測量:
a.測量范圍:14.5nH~8.14H。
b.分 檔:分七個量程。
0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH,
0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。
☆電容測量:
a.測量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測量見使用規(guī)則);
b.電容量調節(jié)范圍
主調電容器:30~500pF; 準 確 度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;
注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
☆振蕩頻率:
a.振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;
b.頻率分段(虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
c.頻率誤差:3×10-5±1個字。
☆Q合格指示預置功能,預置范圍:5~1000。
☆儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃; b.相對濕度:<80%; c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
☆其他
a.消耗功率:約25W; b.凈重:約7kg; c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
☆ Q合格指示預置功能
預置范圍:5~1000。
四、主要配置:
a.測試主機一臺;
b.電感9只;
c.夾具一 套
附表 電感組典型測試數(shù)據
五.儀器特點:
☆接線簡單(正接法兩根線,反接可使用一根線),所有電纜線均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測量電壓緩
升、緩降,全自動測量,結果直讀,無須換算。
☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內/外標準電容器和內/外試驗電壓進行測量。正接線可測量高壓介損。
☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強烈震動顛簸而不會損壞。
☆ 抗干擾能力強 采用自動跟蹤干擾抵償電路,將矢量運算法與移相法結合,有效地消除強電場干擾對測量的影響,適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場試驗。
☆CVT測量 *自激法測量CVT功能,不需外加任何設備,可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線(三根電纜,不用倒線),一個測量過程(大約1分鐘),兩個zui終測量結果(C1和C2的介損及電容值)。測量過程中文顯示,能實時監(jiān)測自激電流值和試驗電壓(高壓)值。能消除引線對測試的影響,測量結果準確可靠。
☆ 安全措施
(1)高壓保護:試品短路、擊穿或高壓電流波動,能迅速切斷高壓輸出。
(2)CVT保護:設定自激電壓的過流點,一旦超出設置的電流值,儀器自動退出測量,不會損壞設備。
(3)接地檢測:儀器有接地檢測功能,未接地時不能升壓測量。
(4)防誤操作:具備防誤操作設計,能判別常見接線錯誤,安全報警。
(5)防“容升”:測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應,儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。
☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器,在嚴冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單,操作提示各種警告信息,直觀明了,不需查閱說明書即可操作。
☆打印 儀器附有微型打印機,以中文方式打印輸出測量結果及狀態(tài)。
☆RS232 儀器具有RS232接口,與計算機連接便于數(shù)據的統(tǒng)計和處理及保存。
☆可選購與計算機通信應用程序。
介電常數(shù)GDAT-A介紹:
一、 概述
介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數(shù)值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
二、儀器的技術指標
1.Q值測量
a.Q值測量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c.標稱誤差
項 目 | GDAT-A |
頻率范圍 | 20kHz~10MHz |
固有誤差 | ≤5%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7%±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz~60MHz |
固有誤差 | ≤6%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8%±滿度值的2% |
2.電感測量范圍:14.5nH~8.14H
3.電容測量:1~ 460
項 目 | GDAT-A |
直接測量范圍 | 1~460pF |
主電容調節(jié)范圍 準確度 | 30~500pF 150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1% |
注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
4.信號源頻率覆蓋范圍
項 目 | GDAT-A |
頻率范圍 | 10kHz~50MHz |
頻率分段 (虛擬) | 10~99.9999kHz 100~999.999kHz 1~9.99999MHz 10~60MHz |
頻率指示誤差 | 3×10-5±1個字 |
|
|
5.Q合格指示預置功能
預置范圍:5~1000。
6.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
8.產品配置:
a.測試主機一臺;
b.電感9只;
c.夾具一 套
附表 電感組典型測試數(shù)據
線圈號 | 測試頻率 | Q值 | 分布電容p | 電感值 |
9 | 100KHz | 98 | 9.4 | 25mH |
8 | 400KHz | 138 | 11.4 | 4.87mH |
7 | 400KHz | 202 | 16 | 0.99mH |
6 | 1MHz | 196 | 13 | 252μH |
5 | 2MHz | 198 | 8.7 | 49.8μH |
4 | 4.5MHz | 231 | 7 | 10μH |
3 | 12MHz | 193 | 6.9 | 2.49μH |
2 | 12MHz | 229 | 6.4 | 0.508μH |
1 | 25MHz 50MHz | 233 211 | 0.9 | 0.125μH |
工頻介電常數(shù)介質損耗測試儀
型號:BDAT-B
一、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路。
二、主要可以測量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗( tg)和電容量( Cx)以,其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。
由于電橋內附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器,并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結合在一起,所以本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tg)及介電常數(shù)(ε)。
橋體本身帶有5Kv/100pF標準電容,測量材料介損更為方便。
橋體內附電位跟蹤器及指另儀,外圍接線及少。
橋體采用了多樣化的介損測量線路。
三、技術指標
測量范圍及誤差
在Cn=100pF R4=3183.2(?)(即10K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質損耗tg? 0~1 ±1.5%tg?x±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(?)(即1K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質損耗tg? 0~0.1 ±1.5%tg?x±0.0001
Cx=R4×Cn/R3
tg?=ω?R4?C4
電容量及介損顯示精度:
電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 損: ±0.5%tg?x±1×10-4
高壓電源技術特性
電壓輸出:0~5000V/50Hz
高壓電流輸出:0~10mA
內置標準電容器
電容量為100pF
tg小于5X10-5
QS37 型高壓電橋
1.概
述
QS37 型西林電橋,主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質損失角的正切值及電容量。
其采用了西林電橋的經典線路。主要可以測量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種
固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗(tg) 和電容量( Cx)以,其測量線路采用“正接法”
即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、電位跟蹤器組成,本電橋特別適應測量各類
絕緣油和絕緣材料的介損()及介電常數(shù)(ε)。
2.技術指標
2.1 測量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為 20±5℃,相對濕度為 30%-80%條件下,應滿足
下列表中的技術指示要求。
在 Cn=100pFR4=3183.2()(即 10K/π)時
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量 Cx | 40pF--20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介質損耗tg | 0~1 | ±1.5%tg x士0.0001 |
在 Cn=100pF R4=318.3()(即 1K/π)時
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量 Cx | 4pF--2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介質損耗tg | 0~0.1 | ±1.5%tg x士0.0001 |
2.2 電容量及介損顯示精度:
電容量: ±0.5%
-4介 損: ±1.5%tg x士1 乘以10