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發(fā)布時(shí)間: 2024-08-15
產(chǎn)品型號(hào): GDAT-A
廠(chǎng)商性質(zhì): 生產(chǎn)廠(chǎng)家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn): 北京介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀廠(chǎng)家 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置: :平板電容器:極片尺寸:φ25.4mm極片間距可調(diào)范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm圓筒電容器:電容量線(xiàn)性:0.33PF±0.05PF。長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率:0~20mm,±0.01mm夾具插頭間距: 25mm±1mm夾具損耗角正切值:≤4 4 × 10- -4 4 (z 1MHz 時(shí))
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀:GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的詳細(xì)資料:
一、 介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠(chǎng)等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c.標(biāo)稱(chēng)誤差
項(xiàng) 目
GDAT-A
頻率范圍
20kHz~10MHz;
固有誤差
≤5%±滿(mǎn)度值的2%;
工作誤差
≤7%±滿(mǎn)度值的2%;
頻率范圍
10MHz~60MHz;
固有誤差
≤6%±滿(mǎn)度值的2%;
工作誤差
≤8%±滿(mǎn)度值的2%。
2.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H
3.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量:1~ 460
項(xiàng) 目
GDAT-A
直接測(cè)量范圍
1~460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度
30~500pF
150pF以下±1.5pF;
150pF以上±1%
注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
4.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目
GDAT-A
頻率范圍
10kHz~50MHz
頻率分段
(虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
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