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介電常數(shù)及介質損耗試驗儀

發(fā)布時間:  2024-08-13

產(chǎn)品型號:  GDAT-A

產(chǎn)品報價:  

廠商性質:  生產(chǎn)廠家

所  在  地:  北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號

產(chǎn)品特點:  介電常數(shù)介質損耗測試儀裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10

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產(chǎn)品概述

電常數(shù)介質損耗測試儀電感器:

按測試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

例如:在1MHz測試頻率時,要配250μH電感器,在50MHz測試頻率時,要配0.1μH電感器等。

 

高頻介質樣品(選購件):
在現(xiàn)行高頻介質材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。

該樣品由人工藍寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測試樣品。用戶可按需訂購,以保證測試裝置的重復性和準確性。

 

 

介電常數(shù)介質損耗測試儀主要技術指標:

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 

 

Q值測量

.Q值測量范圍:2~1023;

  .Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔;

 

Q合格指示預置功能:預置范圍:51000

   6Q表正常工作條件

   a. 環(huán)境溫度:0+40

  b.相對濕度:<80%;

  c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

   7.其他

  a.消耗功率:約25W

   b.凈重:約7kg;

   c.外型尺寸:(寬××深)mm380×132×280

 

 介電常數(shù)介質損耗測試儀裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

 


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