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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀詳細(xì)

來源:技術(shù)文章    更新時(shí)間:2014-10-27    瀏覽:1866次

高頻介質(zhì)損耗測試系統(tǒng)由S916測試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成,它依據(jù)國標(biāo)GB/T 1409-2006、美標(biāo)ASTM D150以及電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測量的*解決方案。

1、《BH916介質(zhì)損耗裝置》(測試夾具)是測試系統(tǒng)的核心檢測部件,它由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。通過被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化,測得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品,精密的加工設(shè)計(jì)、的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能,克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測量誤差。

2、基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統(tǒng)的二次儀表,其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的zui高成就,隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面,采用LCD液晶屏顯示各測量因子:Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測試頻率10KHz-60MH200KHz-160MHz,頻率精度高達(dá)1×10-6。國標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε),把被測材料作為平板電容的介質(zhì),與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測試回路,以獲取zui高的測試靈敏度。因而Q表法的測試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。

   GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ,無須關(guān)注量程和換算,*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測量的理想工具。

 

3、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測量控件(裝入GDAT),實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化,tanδ 測量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理,因而提高了數(shù)據(jù)的度和測量的同一性,是人工讀值和人工計(jì)算*的。

4、一個(gè)高品質(zhì)因數(shù)(Q)的電感器是測量系統(tǒng)*的輔助工具,關(guān)乎測試的靈敏度和精度,在系統(tǒng)中它與平板電容(BH916)構(gòu)成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本系統(tǒng)推薦的電感器為LKI-1電感

 

 

3、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測量控件(裝入GDAT),實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化,tanδ 測量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理,因而提高了數(shù)據(jù)的度和測量的同一性,是人工讀值和人工計(jì)算*的。

4、一個(gè)高品質(zhì)因數(shù)(Q)的電感器是測量系統(tǒng)*的輔助工具,關(guān)乎測試的靈敏度和精度,在系統(tǒng)中它與平板電容(BH916)構(gòu)成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本系統(tǒng)推薦的電感器為LKI-1電感 組,共由9個(gè)高性能電感器組成,以適配不同的檢測頻率。

 

附表一,介質(zhì)損耗測試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表

BH916測試裝置

GDAT高頻Q

平板電容極片

Φ50mm/Φ38mm可選

頻率范圍

20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

間距可調(diào)范圍

≥15mm

頻率指示誤差

3×10-5±1個(gè)字

夾具插頭間距

25mm±0.01mm

主電容調(diào)節(jié)范圍

30-500/18-220pF

測微桿分辨率

0.001mm

主調(diào)電容誤差

<1%1pF

夾具損耗角正切值

4×10-4 1MHz)

Q測試范圍

21023

 

附表二,LKI-1電感組典型測試數(shù)據(jù)

線圈號(hào)

測試頻率

Q

分布電容p

電感值

9

100KHz

98

9.4

25mH

8

400KHz

138

11.4

4.87mH

7

400KHz

202

16

0.99mH

6

1MHz

196

13

252μH

5

2MHz

198

8.7

49.8μH

4

4.5MHz

231

7

10μH

3

12MHz

193

6.9

2.49μH

2

12MHz

229

6.4

0.508μH

1

25MHz
50MHz

233
211

0.9

0.125μH

 

標(biāo)簽:介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 、

         介電常數(shù)測試儀

        介質(zhì)損耗介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀

     電壓擊穿試驗(yàn)儀

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